Chi tiết Snapdragon 835 rò rỉ ngay trước CES 2017

Nguồn tin đã khẳng định là Snapdragon 835 sẽ được sản xuất trên tiến trình 10nm tiên tiến nhất. Chip mới đạt hiệu suất xử lý cao hơn 27% so với Snapdragon 820 đồng thời tiết kiệm điện năng và nhỏ gọn hơn thế hệ trước.

Snapdragon 835 sử dụng lõi Qualcomm Kryo 280, nhân đồ họa Adreno 540 cho tốc độ xử lý cao hơn 25% và hỗ trợ màu sắc nhiều hơn 60 lần nhưng vẫn tiếp kiệm 50% năng lượng so với Snapdragon 801. Qualcomm Snapdragon 835 sở hữu modem Snapdragon x16 LTE – đây cũng là lần đầu tiên một con chip di động được trang bị modem LTE Gigabit Class hỗ trợ tốc độ download lên tới 1Gbps. Hệ thống camera cũng sẽ lấy nét nhanh hơn nhờ tốc độ xử lý của con chip này.

Điểm Benchmark của Snapdragon 835. Snapdragon 835 cũng hỗ trợ xử lý hình ảnh 4K/60fps, nền tảng đồ họa OpenGL ES, Vulkan và DirectX 12 tương thích với công nghệ thực tế ảo Google Daydream.

Cuối cùng, Snapdragon 835 được tích hợp công nghệ sạc nhanh Quick Charge 4.0 mới nhất giúp cải thiện hiệu quả sạc 20% so với version 3.0, chỉ cần 5 phút sạc cho thời gian sử dụng 5 giờ và 15 phút để có 50% dung lượng pin.

Con chip cao cấp này dự kiến sẽ có mặt trên các flagship năm 2017 như Galaxy S8, LG G6 hay Xiaomi Mi6.

Theo Phonearena

Hải SN