Samsung ra mắt bộ nhớ GDDR6 24Gb/s đầu tiên trên thị trường

Các sản phẩm mới sẽ được sản xuất bằng công nghệ HKMG (High-K Metal Gate), lần đầu tiên được sử dụng trong bộ nhớ GDDR6 của Samsung vào năm 2018. Khi cấu trúc DRAM co lại, lớp cách điện trở nên mỏng hơn, dẫn đến rò rỉ dòng điện nhiều hơn. Thay thế chất cách điện bằng vật liệu HKMG giúp giảm rò rỉ và cải thiện hiệu suất. Không chỉ có DRAM GDDR6 mà những tiêu chuẩn thấp hơn cũng được cập nhật cải tiến này để giảm mức tiêu thụ điện năng. Chip GDDR6 mới của Samsung mang lại hiệu suất nhanh hơn khoảng 33% so với thế hệ giải pháp 18Gb/s trước đó.

Bộ nhớ mới sẽ được sử dụng trong thế hệ tiếp theo của bộ tăng tốc đồ họa, bao gồm laptop, trí tuệ nhân tạo, hệ thống máy tính hiệu suất cao và máy console. Samsung sản xuất dựa trên quy trình quang khắc cực tím (EUV) sâu 10nm. Dòng chip GDDR6 mới của Samsung cũng sẽ có các tùy chọn năng lượng thấp để giúp kéo dài tuổi thọ pin cho máy. Sử dụng công nghệ Dynamic Voltage Variation (DVS), điều chỉnh điện áp hoạt động dựa trên các yêu cầu về hiệu suất; Samsung sẽ phát hành chip 20 và 16 Gb / s, đạt hiệu suất năng lượng cao hơn khoảng 20% ở 1,1V; so với tiêu chuẩn ngành 1,35 V. Theo các nhà phân tích của IC Insights, nhu cầu về chất bán dẫn nói chung và chip nhớ nói riêng đã bắt đầu chậm lại. Các công ty lớn trên thị trường ghi nhận nhu cầu vi mạch trong tháng 6 giảm so với tháng 5. Trung bình, nhu cầu thị trường đối với chip trong tháng trước đã giảm 5%. Theo Gizchina

Hải SN