Samsung ra mắt UFS 4.0: gấp đôi tốc độ đọc

Samsung mới đây đã công bố một tiêu chuẩn bộ nhớ flash mới là UFS 4.0, hứa hẹn sẽ tăng hiệu suất đáng kể so với UFS 3.1. Theo Samsung, UFS 4.0 đem tới băng thông lên đến 23.2 Gbps trên mỗi làn, gấp đôi so với UFS 3.1, Samsung tuyên bố rằng UFS 4.0 là "hoàn hảo cho điện thoại thông minh 5G yêu cầu xử lý lượng dữ liệu lớn". Ngoài ra còn rất hữu ích trong việc đáp ứng nhu cầu dữ liệu của các ứng dụng thực tế ảo tăng cường. Công nghệ V-NAND thế hệ thứ 7 mới của Samsung sẽ cho phép tốc độ đọc tuần tự lên đến 4.200 MB/s và tốc độ ghi tuần tự lên đến 2.800 MB/s, cao hơn nhiều so với tốc độ đọc và ghi do hệ thống lưu trữ UFS 3.1 hiện tại tạo ra, nhanh hơn cả SSD trong Xbox Series X.

Ngoài ra, bộ nhớ mới còn tiết kiệm năng lượng hiệu quả hơn, tiết kiệm điện hơn 46% so với UFS 3.1 vì nó có khả năng cung cấp tốc độ đọc tuần tự lên đến 6 MB/giây trên mỗi miliampe. Tất cả hiệu suất và hiệu quả này sẽ được thực hiện trong một diện tích nhỏ gọn chỉ 11 x 13 x 1 mm cho 1TB dung lượng trong khi UFS 3.1 512 GB có kích thước 11,5 x 13 x 1,0 mm.

Dự kiến, Samsung sẽ sản xuất hàng loạt UFS 4.0 vào quý 3 năm 2022, nếu nhanh chóng thì những smartphone cuối năm nay hoặc đầu năm 2023 sẽ được trang bị, đó rất có thể là Galaxy Z Fold4, Galaxy Z Flip4 và Galaxy S23.

Theo Gizchina

Hải SN